溅射功率相关论文
利用直流磁控溅射法在有机玻璃基底上沉积掺杂氧化铟锡（ITO）透明导电薄膜，在室温条件下，研究了溅射功率、溅射气压、靶基距和氧氩流量......
近年来,微型化、智能化、集成化且成本经济的微机电系统受到广泛关注。TiNi基形状记忆合金薄膜具有良好的形状记忆效应、超弹性、......
近年来,第三代宽禁带半导体材料β-Ga2O3受到越来越多的关注,在材料制备、掺杂、刻蚀等方面都有广泛研究.射频磁控溅射是常用的β-......
氧化锌作为第三代半导体材料,以其优异的光电、压电等特性而备受研究人员的青睐。利用能带工程,在氧化锌基质晶格中掺入其它离子（Al......
采用JGP-300型超高真空磁控溅射镀膜设备在蓝宝石衬底上制备了Ga2 O3薄膜,研究了溅射功率和退火工艺对薄膜晶体结构、表面形貌和光......
非晶硅因其具有吸收系数高、适用于柔性衬底和大批量卷对卷制造工艺的特点因而在薄膜太阳能电池制造领域得到广泛普及.作为薄膜太......
采用射频磁控溅射法制备氧化钒(VOx)薄膜，研究溅射功率对氧化钒薄膜结构、光学及力学性能的影响。利用表面轮廓仪、X 射线衍射仪、......
ZnO 作为一种新型的半导体材料,在太阳能电池、气敏传感器、光波导器件、表面声学装置及压电传感器方面的应用潜力巨大,使得它倍受......
本文通过实验,分析在硅铝靶使用不同的溅射功率时,如何选择最合适的工艺气体流量和氩/氮气比例,降低其钢化前后可见光透过率的变化......
本文用磁控共溅射方法制备了无氢非晶碳化锗薄膜。用拉曼光谱(Kaman)、傅里叶变换红外透射光谱( FTIR)和X射线光电子谱(XPS)等方法......
采用射频磁控溅射技术在玻璃上制备InxSy缓冲层,溅射功率范围从30W到100W.通过能量色散X射线光谱仪(EDX)、扫描电子显微镜SEM和紫......
会议
本文利用中频磁控溅射方法制备ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜,研究了溅射功率对ZAO薄膜电学、光学以及绒面表面形貌的影响,获得了适合太......
Be/Cu梯度靶丸是ICF研究中重要的点火靶丸之一.本实验采用四个3英寸磁控溅射靶在玻片上共同沉积制备了Be涂层薄膜,研究了不同溅射......
氟化钇薄膜由于具有优良的光学性能常被用于红外波段,通过优化磁控溅射工艺,成功地在锗基底上实现了厚度大于1 μm的氟化钇薄膜的......
无线通信、光纤通信系统飞速发展，低频段已经被占满，必须向高频段发展。高频声表面波(SAW)器件使用频率的升高，使它在雷达、电子战、......
镁合金具有密度低、比强度高、比刚度高等优点，在汽车制造、航空航天、电子产品和生物医疗等领域具有广阔的应用前景。然而镁及其合......
采用射频磁控溅射在蓝宝石衬底上制备了Mg2Si纳米晶薄膜,研究了Mg2Si烧结靶溅射功率(90~140 W)及溅射时间(10~60 min)对Mg2Si薄膜......
采用磁控溅射方法,在不同的溅射压强下,在玻璃和硅衬底上生长As掺杂ZnO薄膜.研究溅射压强对ZnO薄膜结构、形貌和电光性能的影响.X......
采用射频/直流磁控共溅射法制备不同Cu掺杂量的氧化钛薄膜,研究了Cu掺杂对TiO2膜吸收边红移的影响,并探索其机理。发现当TiO2溅射......
通过磁控溅射技术将Pt和Cu的纳米粒子共沉积于AlOx载体上,制备得到Pt-Cu双金属催化剂。催化剂的Pt/Cu原子比可以通过改变Pt的溅射......
真空溅射镀膜设备中加热装置在镀膜时常出现打火现象，本文采用金属屏蔽和外壳接地的方法很好地解决了这一问题。
Vacuum sputterin......
研究了反应溅射ＡｌＮ和ＡｌＳｉＮ薄膜的制备工艺，讨论了它们的光学性能与溅射工艺参数的关系，实验结果表明，在优化制备工艺基础上能制备出具有优良光......
在磁控反应溅射方法制备薄膜的过程中，等离子体发出较强的光，提出了用光谱控制溅射速率方法，并以该方法在ITO膜中的应用为例，说明该方......
研究直流磁控溅射中溅射功率对ＴｂＦｅＣＯ磁光薄膜成分均匀性、厚度均匀性、克尔旋转角θｋ和矫顽力Ｈｃ的影响。实验结果表明对于全金属互化物相（１００％ＩＭ）ＴｂＦｅＣｏ合......
报道了反应溅射沉积ＴｉＯ２薄膜，得到ＴｉＯ２薄膜的特性如沉积速率、透射率、导电性能、吸收系数等与反应气体的流量、溅射功率有关。通过控制氧气......
利用ＺＹＧＯ光学干涉测量仪，散射积分测量法观测了光学元件表面均方根粗糙度．详细分析了薄Ｓｉ膜对基底均方根粗糙度的影响，由此认为薄膜并不总是......
用金属铝靶射频反应溅射制备了Al2O3薄膜，用作LCD基片玻璃的钠离子阻挡层。报道了射频溅射参数对薄膜沉积速率和折射率的影响。测试......
利用磁控溅射的方法制备了 Cr、Ta、Al、Mo、Mo W等金属薄膜 ,采用 XRD、SEM、四探针法等分析手段分析了薄膜的性能。讨论了衬底温......
采用射频磁控溅射技术在Sr Ti O_3(100)衬底上制备Fe_(81)Ga_(19)薄膜。利用XRD、AFM和VSM表征了Fe_(81)Ga_(19)薄膜的生长取向、......
采用反应磁控溅射并在氧氛围下进行后退火处理的方式,制备了氧化钒薄膜。尝试了在氧化钒上以不同衬底温度和溅射功率等工艺条件溅......
以PEN柔性薄膜作为衬底，采用直流对靶磁控溅射的方法，在室温下制备ZnO：Ga薄膜。研究了不同溅射功率和不同溅射压强下制备出的薄膜表现......
叙述了受梯度功能材料的启发 ,利用对向靶薄膜溅射仪制备梯度氮化铁薄膜的试验 ,对解决钢铁的耐腐蚀问题 ,进行了有益的探索
In t......
超分辨薄膜是一种能够实现突破光学衍射极限的功能薄膜,它在超分辨近场光存储技术中起到至关重要的作用。采用磁控溅射共溅的方式......
用射频(RF)反应磁控溅射法,在硅基片上制备出了具有较低表面粗糙度、C轴择优取向的AlN压电薄膜.讨论了溅射功率对AlN压电薄膜结构......
将磁控溅射和热丝化学气相沉积相结合,制备出超高浓度钛掺杂的氢化非晶硅薄膜。通过光发射谱(OES)分析了热丝加热前后直流溅射辉光......
用直流磁控溅射在不同溅射功率下制备不同厚度的In2O3薄膜。通过XRD分析薄膜结构,用紫外可见光谱分析薄膜的光吸收能力,并推导薄膜......
采用不同溅射功率制备的铟镓氧化锌(IGZO)薄膜作为薄膜晶体管(TFT)的有源层,通过扫描电镜、霍尔效应测试仪,分析了溅射功率对IGZO......
采用高致密度靶材在室温条件下玻璃衬底上RF磁控溅射制备铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜。用X射线衍射仪、冷场发射扫描电子显微镜、紫外可......
在玻璃衬底上采用射频磁控溅射方法制备了硫化镉(CdS)薄膜,研究了溅射功率对CdS薄膜的结构、表面形貌、光学特性和电学性质的影响.......
为获得性能优异的透明介质薄膜,采用射频磁控溅射技术,以ZnS陶瓷靶为靶材,在玻璃衬底上室温沉积纳米晶富锌ZnS薄膜,通过X射线衍射......
薄膜材料的发展与应用正在人民生活的各个方面发挥着重要作用。目前,人们对薄膜材料的研究在宽禁带半导体薄膜方面发展比较突出。Z......
三氧化钨(WO_3)薄膜是一种重要的无机电致变色材料,但是基于纯WO_3薄膜的电致变色器件在着色效率和循环稳定性等诸多方面远远不能......
